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·扫描振荡器的应用

扫描振荡器的应用

光混频器具有良好的高频响应特性,如果两个泵浦激光器具有较高的外部耦合效率,同时采用有效的热管理技术,光混频器在太赫兹波段可以产生相对较高的输出功率。对于ErAs:GaAs光混频,泵浦源通常采用两个工作波长在775nm附近的偏频外腔半导体激光器,光混频器的有源区域位于光学谐振腔内,其光学谐振腔由底端的分布式布拉格反射镜(DBR)和顶端的氮化硅抗反射涂层组成(见图1)。[5] 通过这种设计,每个泵浦激光器的平均输出功率可以增加到30mW。太赫兹输出通过一个正方形螺旋天线耦合,然后通过一个高阻硅超半球形透镜进入自由空间。

ErAs:GaAs光混频器在100GHz低频端的最大输出功率约为10礧,在1Tz时略高于1礧,高于1THz时输出功率进一步下降。与以前的低温生长GaAs光混频器比较,ErAs:GaAs光混频器的最大输出功率提高了一倍。[6] 太赫兹输出功率的测量仪器包括频率在104GHz时经过Gunn二极管校正的Golay探测器、热功率计、波导衰减器和标准的增益喇叭天线。由于外部功率的耦合效率较低,相比红外波长,经校正后的Golay探测器对太赫兹辐射具有较小的响应度。

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